现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

AIMZHN120R030M1T

汽车级 1200V 碳化硅 (SiC) 沟槽功率 MOSFET，采用 TO247-4L、30mΩ
数据手册
封装

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AIMZHN120R030M1T
AIMZHN120R030M1T
数据手册

商品详情

  • ID (@25°C) max
    69 A
  • RDS (on) (@ Tj = 25°C)
    30 mΩ
  • VDS max
    1200 V
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    CoolSiC™ G1
  • 推出年份
    2023
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
AIMZHN120R030M1TXKSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TO247-4
封装名 TO247 4-pin (asymmetric leads)
包装尺寸 240
包装类型 TUBE
湿度 NA
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
凭借英飞凌性能优化的芯片技术 (Gen1p)，SiC Mosfet 具有一流的开关性能、抗寄生导通的稳健性以及改进的 RDSon 和 Rth(jc)。高功率密度、卓越的效率、双向充电功能以及显著降低的系统成本使其成为车载充电器和 DCDC 应用的理想选择。

特性

  • 极低的开关损耗
  • 开启电压增加 VGS(on)= 20 V
  • 一流的开关能量
  • 最低的设备电容
  • 低 Crss/Ciss 比和高 VGS(th) 可避免寄生开启
  • 降低总栅极电荷 QGtot，从而降低驱动功率和损耗
  • .XT 芯片贴装技术，实现一流的热性能
  • 用于优化开关性能的感测引脚
  • 适合高压爬电要求

产品优势

  • 提高效率
  • 启用更高频率
  • 提高功率密度
  • 减少冷却工作量
  • 降低系统复杂性和成本

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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