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AUIRF7640S2
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

AUIRF7640S2

停产
60 V、N 通道、最大 36 mΩ、汽车 MOSFET、DirectFET SB、Gen 10.7
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封装
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AUIRF7640S2
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商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    21 A
  • 最高 Ptot (@ TA=25°C)
    2.4 W
  • 最高 Ptot
    30 W
  • Qgd
    3 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    11 nC
  • QG (typ @10V)
    7.3 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    36 mΩ
  • 最高 RthJA
    62.5 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    3 V 至 5 V
  • VGS(th)
    4 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    MG-WDSON-4
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    Gen 10.7
  • 推出年份
    2016
  • 极性
    N
  • 湿度敏感等级
    1
  • 目前计划的可用性至少到
    2027
  • 质量等级
    Automotive

OPN
AUIRF7640S2TR
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON
封装名 DIRECTFET
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
MX
晶圆产地
MY
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产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
MG-WDSON
封装名 DIRECTFET
封装尺寸 4800
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
MX
晶圆产地
MY
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特性

  • 先进的工艺技术
  • 低 RDS(on) 可提高效率
  • 低 Qg 可实现更佳的 THD 和效率
  • 低 Qrr 可实现更佳的 THD 和更低的 EMI
  • 低寄生电感
  • 双面冷却
  • 工作温度 175°C
  • 无铅、无 RoHS 指令、无卤素
  • 符合汽车行业标准
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 针对 D 类音频放大器进行了优化
  • 高速开关应用
  • 每通道最高 100W，8Ω 负载
  • 重复雪崩能力
  • 减少振铃和降低 EMI

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区