现货，推荐
符合RoHS标准

IAUTN06S5N008T

60 V、N 沟道、最大值 0.79mΩ、汽车 MOSFET、TOLT (10x15)、OptiMOS ™ 5
数据手册
封装
每件.
有存货

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IAUTN06S5N008T
IAUTN06S5N008T
每件.
数据手册

商品详情

  • Country of Assembly (Last BE site, current, subject to change)
    Malaysia
  • Country of Diffusion (Last FE site, current, subject to change)
    Germany
  • ID (@25°C) max
    503 A
  • QG (typ @10V)
    210 nC
  • QG (typ @10V) max
    273 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    0.79 mΩ
  • VDS max
    60 V
  • VGS(th)
    2.6 V
  • 封装
    TOLT
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    OptiMOS™5
  • 推出年份
    2023
  • 极性
    N
  • 目前计划的可用性至少到
    2038
  • 认证标准
    Automotive
推荐的
OPN
IAUTN06S5N008TATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-HDSOP-16
封装名 TOLT
包装尺寸 1800
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
IAUTN06S5N008T 是一款 0.79 mΩ、顶部冷却 60 V MOSFET，采用 TOLT 封装和英飞凌领先的 OptiMOS ™ 5 技术。与其他设备不同，该设备专为 HV-LV DCDC 转换器而设计。

特性

  • OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET
  • N沟道增强模式 - 正常水平
  • 超越 AEC-Q101 的扩展资格
  • 增强电气测试
  • 坚固的设计
  • MSL1 最高回流温度可达 260°C 峰值
  • 工作温度为 175°C
  • 符合 RoHS 规定
  • 100% Avalanche 测试
  • 支持 PPAP 的设备

产品优势

  • 非常适合 HV-LV DCDC 转换器
  • 另有 TOLL 和 TOLG 套餐可供选择

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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