AUIRFN8458

40 V、N 通道、最大 10 mΩ、汽车 MOSFET、双 PQFN 5mm x 6mm、沟槽 MOSFET
数据手册

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AUIRFN8458
AUIRFN8458
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    43 A
  • Qgd
    7.6 nC
  • QG (typ @10V)
    22 nC
  • QG (typ @10V) max
    33 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    10 mΩ
  • RDS (on) max
    10 mΩ
  • RthJA
    105 K/W
  • Tj max
    175 °C
  • VDS max
    40 V
  • VGS(th)
    2.2 V to 3.9 V
  • VGS max
    20 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 技术
    Trench Mosfet
  • 极性
    N+N
  • 湿度敏感等级
    MSL_1
  • 认证标准
    Automotive
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
这款 HEXFET ®功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新的处理技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。其他特性包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些属性使其成为汽车和其他各种应用的高效可靠的选择。

特性

  • 先进的工艺技术
  • 双 N 沟道 MOSFET
  • 超低导通电阻
  • 工作温度 175°C
  • 快速切换
  • 允许重复雪崩直至 Tjmax
  • 无铅，符合 RoHS 标准
  • 符合汽车行业标准
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

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设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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