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32 位 FM Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
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微控制器
32 位 TRAVEO™ T2G Arm® Cortex® 微控制器
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微控制器
32 位 XMC™ 工业微控制器 Arm® Cortex-M®
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英飞凌发布2026财年第二季度运营成果： 增长前景乐观，上调全年业绩指引。AI 热潮持续增强。汽车业务订单回暖。自第四季度起启用调整后的事业部架构
英飞凌再次入选全球可持续发展领军企业
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这款 HEXFET ®功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新的处理技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。其他特性包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些属性使其成为汽车和其他各种应用的高效可靠的选择。
特性
- 先进的工艺技术
- 双 N 沟道 MOSFET
- 超低导通电阻
- 工作温度 175°C
- 快速切换
- 允许重复雪崩直至 Tjmax
- 无铅，符合 RoHS 标准
- 符合汽车行业标准
- 支持 PPAP 的设备
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