AUIRFN8458

AUIRFN8458

40 V、N 通道、最大 10 mΩ、汽车 MOSFET、双 PQFN 5mm x 6mm、沟槽 MOSFET
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

AUIRFN8458
AUIRFN8458
数据手册


商品详情

  • 最高 ID (@25°C)
    43 A
  • Qgd
    7.6 nC
  • QG (typ @10V)
    22 nC
  • 最高 QG (typ @10V)
    33 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    10 mΩ
  • 最高 RDS (on)
    10 mΩ
  • RthJA
    105 K/W
  • 最高 Tj
    175 °C
  • 最高 VDS
    40 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.9 V
  • 最高 VGS
    20 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 技术
    Trench Mosfet
  • 极性
    N+N
  • 湿度敏感等级
    MSL_1
  • 认证标准
    Automotive

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
这款 HEXFET ®功率 MOSFET 专为汽车应用而设计，采用最新的处理技术，实现了单位硅面积极低的导通电阻。其他特性包括 175°C 结工作温度、快速开关速度和改进的重复雪崩额定值。这些属性使其成为汽车和其他各种应用的高效可靠的选择。

特性

  • 先进的工艺技术
  • 双 N 沟道 MOSFET
  • 超低导通电阻
  • 工作温度 175°C
  • 快速切换
  • 允许重复雪崩直至 Tjmax
  • 无铅，符合 RoHS 标准
  • 符合汽车行业标准
  • 支持 PPAP 的设备

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区