不建议用于新设计
符合RoHS标准
无铅

BGA5L1BN6

数据手册
封装

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BGA5L1BN6
BGA5L1BN6
数据手册

商品详情

  • I
    8.2 mA
  • IIP3
    -7 dBm
  • NF
    0.7 dB
  • P-1dB (in)
    -20 dBm
  • VCC operating
    1.5 V to 3.6 V
  • Gain
    18.5 dB
  • Frequency
    600 - 1000 MHz
OPN
BGA5L1BN6E6328XTSA1
产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
TSNP-6-2
封装名 N/A
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 not for new design
英飞凌封装名称
TSNP-6-2
封装名 -
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
BGA5L1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 600 MHz 至 1000 MHz 的宽频率范围。该 LNA 在电流消耗为 8.2mA 时提供 18.5 dB 增益和 0.7 dB 噪声系数。在旁路模式下，LNA 提供 2.7 dB 的插入损耗。BGA5L1BN6 基于英飞凌科技的 B9HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.6 V。该器件具有单线双态控制（旁路和高增益模式）。可以通过关闭 VCC 来启用 OFF 状态。

特性

  • 工作频率：600 - 1000 MHz
  • 插入功率增益：18.5 dB
  • 旁路模式下的插入损耗：2.7 dB
  • 低噪声系数：0.7dB
  • 低电流消耗：8.2mA
  • 多态控制：旁路和高增益模式
  • 超小型 TSNP-6-2 和 TSNP-6-10 无引线封装
  • 射频输出内部匹配至 50 Ohm
  • 外部元件数量少

文档

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