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符合RoHS标准
无铅

BGA5M1BN6

数据手册
封装

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BGA5M1BN6
BGA5M1BN6
数据手册

商品详情

  • I
    2.8 mA
  • IIP3
    -7 dBm
  • NF
    0.65 dB
  • P-1dB (in)
    -16 dBm
  • VCC 操作
    1.5 V to 3.6 V
  • 增益
    19.4 dB
  • 频率
    1805 - 2200 MHz
推荐的
OPN
BGA5M1BN6E6328XTSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
TSNP-6-2
封装名 N/A
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
TSNP-6-2
封装名 -
包装尺寸 15000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
BGA5M1BN6 是用于 LTE 的前端低噪声放大器，覆盖 1805 MHz 至 2200 MHz 的宽频率范围。该 LNA 在 9.5mA 电流消耗下提供 19.3 dB 增益和 0.65 dB 噪声系数。在旁路模式下，LNA 提供 4.7 dB 的插入损耗。BGA5M1BN6 基于英飞凌科技的 B9HF 硅锗技术。其工作电源电压为 1.5 V 至 3.6 V。该设备具有单线双态控制（旁路模式和高增益模式）。可以通过关闭 VCC 来启用 OFF 状态。

特性

  • 插入功率增益：19.3 dB
  • 旁路模式下的插入损耗：4.7 dB
  • 低噪声系数：0.65 dB
  • 低电流消耗：9.5mA
  • 工作频率：1805 - 2200 MHz
  • 多态控制：旁路和高增益模式
  • 电源电压：1.5 V 至 3.6 V
  • 超小型 TSNP-6-2 和 TSNP-6-10 无引线封装（尺寸：0.7 x 1.1 mm2）
  • B9HF 硅锗技术
  • RF 输出内部匹配至 50 Ohm
  • 外部元件数量少
  • 2kV HBM ESD 保护（包括AI 引脚）
  • 无铅（符合 RoHS 标准）封装

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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