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BGA7L1N6
商品详情
-
I4.5 mA
-
IIP30 dBm
-
NF0.9 dB
-
P-1dB (in)-3 dBm
-
VCC 操作 范围1.5 V 至 3.3 V
-
增益13.3 dB
-
频率716 - 960 MHz
|
OPN
|
|---|
| 产品状态 |
| 英飞凌封装名称 |
| 封装名 |
| 封装尺寸 |
| 封装类型 |
| 湿度 |
| 防潮封装 |
| 无铅 |
| 无卤素 |
| 符合RoHS标准 |
|
Infineon stock last updated:
|
用于LTE的硅锗低噪声放大器
特性
- 插入功率增益：13.3 dB
- 低噪声系数：0.90 dB
- 低电流消耗：4.4 mA
- 工作频率：728 - 960 MHz
- 电源电压：1.5 V 至 3.3 V
- 数字开/关开关（1V 逻辑高电平）
- 超小型 TSNP-6-2 无铅封装（占用空间：0.7 x 1.1 mm2）
- B7HF 硅锗技术
- 射频输出内部匹配至 50 Ω
- 仅需 1 个外部 SMD 元件
- 2kV HBM ESD 保护（包括 AI 引脚）
- 无铅（符合 RoHS 标准）封装
应用
文档