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符合RoHS标准
无铅

BGS12PN10

数据手册
封装

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BGS12PN10
BGS12PN10
数据手册

商品详情

  • Pmax max
    40 dBm
  • 供电电压
    1.8 - 3.6 V
  • 开关器件类型
    SPDT
  • 控制接口
    GPIO
  • 插入损耗 (@1GHz)
    0.16 dB
  • 隔离 (@1GHz)
    39 dB
  • 频率范围
    0.5 - 6.0 GHz
推荐的
OPN
BGS12PN10E6327XTSA1
产品状态 active
英飞凌封装名称
TSNP-10-1
封装名 N/A
包装尺寸 7500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
TSNP-10-1
封装名 -
包装尺寸 7500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
BGS12PN10 是单刀双掷 (SPDT) 高线性度、高功率射频开关针对高达 6.0 GHz 的移动电话应用进行了优化。该单电源芯片集成了片上 CMOS 逻辑，由简单的 CMOS 或 TTL 兼容控制输入信号驱动。与 GaAs 技术不同，0.1 dB 压缩点超出了开关最大输入功率水平，从而导致 所有信号电平均具有线性性能，并且仅当外部施加直流电压时才需要射频端口上的外部直流阻断电容器。 BGS12PN10 可实现 UL（B1 + B3）、（B2 + B4）、DL-CA（B4 + B12）和 SV-LTE（B5 + B13）的关键频段组合。该设备可处理高达 38 dBm 的极高发射信号电平，同时表现出低损耗以节省电池电量。超高线性度器件对 系统灵敏度。例如，整个射频前端的线性度增加 3 dBm，可实现 6 dB 更好的信噪比。因此， 数据速率提高了 40%，例如从 20 Mbps（QAM16 4/5）提高到 33 Mbps（QAM64 4/5）。BGS12PN10 代表 一流的 ISO 和 IL 所有频率下的性能。  

特性

  • 最高射频功率：38 dBm
  • 两个超低损耗端口：
  • 0.17 dB @ f=0.9 GHz，PIN=38dBm
  • 0.22 dB @ f=1.9 GHz，PIN=38dBm
  • 0.26 dB @ f=2.7 GHz，PIN=33dBm
  • 0.37 dB @ f=3.6 GHz，PIN=33dBm
  • 0.68 dB @ f=5.8 GHz，PIN=33dBm
  • 如果射频端口上未施加外部直流电，则无需直流去耦元件
  • 高 ESD 稳健性
  • 低谐波产生
  • 高线性度：75dBm IIP3
  • 无需电源阻断
  • 电源电压范围： 1.8 至 3.6V
  • 电源电压范围内无插入损耗变化
  • 电源电压范围内线性度无变化
  • 0.5 至 6.0 GHz 覆盖范围
  • 小尺寸 1.1 mm x 1.5 mm
  • 400 µm 焊盘间距
  • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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