现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

BGSX22G5A10

DPDT天线交叉开关
数据手册
封装
每件.
有存货

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BGSX22G5A10
BGSX22G5A10
每件.
数据手册

商品详情

  • Pmax
    39 dBm
  • 供电电压
    1.65 V to 3.4 V
  • 尺寸
    1.1 x 1.5 mm²
  • 开关器件类型
    DPDT
  • 控制接口
    GPIO
  • 插入损耗 (@1GHz)
    0.28 dB
  • 隔离 (@1GHz)
    49 dB
  • 频率范围
    0.1 - 6.0 GHz
推荐的
OPN
BGSX22G5A10E6327XTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
ATSLP-10-50
封装名 N/A
包装尺寸 4500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
ATSLP-10-50
封装名 -
包装尺寸 4500
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
BGSX22G5A10 RF MOS 开关专为 LTE 和 WCDMA 多天线应用而设计。该 DPDT 具有低插入损耗和低谐波产生以及 RF 端口之间的高隔离度。该开关通过GPIO接口控制。片上控制器允许电源电压从 1.65V 到 3.4V。 该开关具有直接连接电池的功能和无直流射频端口。与 GaAs 技术不同，仅当外部施加直流电压时才需要在 RF 端口处使用外部直流阻断电容器。BGSX22G5A10 射频开关采用英飞凌专利的 MOS 技术制造，具有 GaAs 的性能、传统 CMOS 的经济性和集成性，包括固有的更高的 ESD 稳健性。该器件尺寸非常小，仅为 1.1 x 1.5mm2，最大厚度为 0.55 毫米。

特性

  • RF CMOS DPDT 天线交叉开关，功率处理能力高达 37 dBm
  • 超低插入损耗和谐波产生
  • 0.1 至 6.0 GHz 覆盖范围
  • 高端口间隔离
  • 如果 RF 线路上未施加直流电，则无需去耦电容
  • 通用输入输出 (GPIO) 接口
  • 小尺寸 1.1mm x 1.5mm
  • 无需电源阻断
  • 高 EMI 稳健性
  • 符合 RoHS 和 WEEE 标准的封装

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }