BSC016N06NSSC
现货，推荐
符合RoHS标准

BSC016N06NSSC

OptiMOS ™ 5 60 V 功率 MOSFET 采用 SuperSO8 DSC 封装，具有双面冷却功能，可增强热性能
数据手册
封装

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BSC016N06NSSC
BSC016N06NSSC
数据手册
  • Ciss
    5200 pF
  • Coss
    1200 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    234 A
  • 最高 IDpuls
    936 A
  • 最高 Ptot
    167 W
  • QG (typ @10V)
    71 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    1.6 mΩ
  • 最高 RthJA
    50 K/W
  • 最高 RthJC
    0.9 K/W
  • Rth
    0.5 K/W
  • 最高 VDS
    60 V
  • VGS(th) 范围
    2.1 V 至 3.3 V
  • VGS(th)
    2.8 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SuperSO8 5x6 DSC
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Dual-Side Cooling
  • 预算价格€/1k
    1.12
推荐的
OPN
BSC016N06NSSCATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 SuperSO8 5x6 DSC
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-WSON-8
封装名 SuperSO8 5x6 DSC
封装尺寸 4000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 60 V 采用 SuperSO8 DSC（双面冷却）封装，具有双面冷却的热优势和行业标准的尺寸。MOSFET 芯片产生的热量约有 30% 通过顶部传递，传递到 PCB 的热量较少，因此，在相同功率耗散的情况下，PCB 的运行温度更低，从而提高可靠性，或者 MOSFET 可以处理更多功率，从而实现更高的功率密度。

特性

  • 高性能硅技术
  • 低顶部 RthJC(0.72 K/W)
  • 封装额定 TJmax=175ºC
  • 行业标准尺寸
  • 兼容 SuperSO8 和 PQFN 5x6

产品优势

  • 低损耗，高系统效率
  • 改进的 EMI 使得外部缓冲器不再需要
  • 卓越的功率处理能力和更长的使用寿命
  • 直接替换 SuperSO8 和 PQFN 5x6

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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