BSC025N08LS5
现货，推荐
符合RoHS标准

BSC025N08LS5

OptiMOS ™ 5 个逻辑级功率 MOSFET 在小型封装中提供低 RDS(on)
数据手册
封装

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BSC025N08LS5
BSC025N08LS5
数据手册
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    187 A
  • 最高 ID (@25°C)
    187 A
  • 最高 IDpuls
    748 A
  • 最高 Ptot
    156 W
  • QG (typ @4.5V)
    44 nC
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    3.3 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    2.5 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    1.1 V 至 2.3 V
  • VGS(th)
    1.7 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Logic Level
  • 预算价格€/1k
    0.95
推荐的
OPN
BSC025N08LS5ATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TDSON-8
封装名 SuperSO8
封装尺寸 5000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
OptiMOS ™ 5 逻辑级功率 MOSFET 非常适合充电、适配器和电信应用。得益于低栅极电荷 (Qg)，可在不影响导通损耗的情况下降低开关损耗。逻辑电平 MOSFET 允许在高开关频率下运行，并且由于栅极阈值电压较低，可以直接由微控制器驱动。

特性

  • 小型封装，低 RDS(on)
  • 低栅极电荷
  • 更低输出电荷
  • 逻辑电平兼容性

产品优势

  • 更高功率密度的设计
  • 更高的开关频率
  • 采用 5V 电源减少零件数量
  • 直接由微控制器驱动
降低系统成本
文档

设计资源

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }