BSC037N08NS5T

BSC037N08NS5T

OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 具有增强的温度额定值,可提高 SuperSO8 封装的稳健性

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BSC037N08NS5T
BSC037N08NS5T
  • 最高 ID (@ TC=25°C)
    136 A
  • 最高 ID (@25°C)
    136 A
  • 最高 IDpuls
    544 A
  • 最高 Ptot
    136 W
  • QG (typ @10V)
    46 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    3.7 mΩ
  • 最高 VDS
    80 V
  • VGS(th) 范围
    2.2 V 至 3.8 V
  • VGS(th)
    3 V
  • 安装
    SMT
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 175 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 预算价格€/1k
    1.05
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 采用最新的技术,并在封装温度方面进行了改进。这种新的组合可实现更高的功率密度和更高的耐用性。 与额定值较低的器件相比,175°C TJ_MAX 功能要么在更高的工作结温下提供更多的功率,要么在相同的工作结温下提供更长的使用寿命。

特性

  • SuperSO8 封装增强了 175°C 耐高温能力
  • 针对同步整流进行了优化
  • 非常适合高开关频率

产品优势

  • 最高系统效率
  • 降低开关和传导损耗
  • 减少并联需求
  • 提高功率密度
  • 低压过冲

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }