BSC084P03NS3E G

BSC084P03NS3E G

英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。
数据手册

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

BSC084P03NS3E G
BSC084P03NS3E G
数据手册


商品详情

  • Ciss
    3190 pF
  • Coss
    1520 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    -78.6 A
  • 最高 IDpuls
    -200 A
  • 最高 Ptot
    69 W
  • QG (typ @10V)
    43.4 nC
  • 最高 RDS (on) (@10V)
    8.4 mΩ
  • Rth
    1.8 K/W
  • 最高 VDS
    -30 V
  • VGS(th)
    -2.5 V
  • 封装
    SuperSO8 5x6
  • 预算价格€/1k
    0.45

OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
封装尺寸
封装类型
湿度
防潮封装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

  • 增强模式
  • 正常电平、逻辑电平或超逻辑电平
  • 雪崩额定
  • 无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区