BSD223P
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

BSD223P

P沟道增强模式场效应晶体管 (FET)，-20V，SOT-363
数据手册
封装

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BSD223P
BSD223P
数据手册
  • Ciss
    45 pF
  • Coss
    21 pF
  • 最高 ID (@25°C)
    0.39 A
  • 最高 IDpuls
    -1.56 A
  • 最高 Ptot
    0.25 W
  • QG
    -0.5 nC
  • 最高 RDS (on) (@2.5V)
    2100 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V)
    1200 mΩ
  • 最高 RDS (on) (@4.5V LL)
    1200 mΩ
  • Rth
    500 K/W
  • 最高 VDS
    -20 V
  • 最低 VGS(th)
    -0.6 V
  • VGS(th)
    -0.9 V
  • 最高 VGS(th)
    -1.2 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    SOT-363
  • 工作温度 范围
    -55 °C 至 150 °C
  • 引脚数量
    6 Pins
  • 极性
    P+P
  • 模式
    Enhancement
  • 特殊功能
    Dual
  • 预算价格€/1k
    0.05
推荐的
OPN
BSD223PH6327XTSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOT363-6
封装名 SOT-363
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOT363-6
封装名 SOT-363
封装尺寸 3000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮封装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌高度创新的 OptiMOS ™系列包括 p 通道功率 MOSFET。这些产品始终满足电源系统设计关键规格（例如导通电阻和品质因数特性）的最高质量和性能要求。

特性

  • 增强模式
  • 超级逻辑电平
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • dv/dt 额定值
无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准，无卤素
  • 符合 AEC Q101 要求

产品优势

  • 低 RDS(on)，效率高
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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