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停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

BSL205N

停产
采用 TSOP-6 封装的双 N 沟道小信号 20 V MOSFET
数据手册
封装

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BSL205N
BSL205N
数据手册

商品详情

  • Ciss
    315 pF
  • Coss
    114 pF
  • ID max
    2.5 A
  • IDpuls max
    10 A
  • Ptot max
    0.5 W
  • QG
    2.1 nC
  • RDS (on) max
    85 mΩ
  • RDS (on) (@2.5V) max
    85 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    50 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    50 mΩ
  • RthJA max
    250 K/W
  • VDS max
    20 V
  • VGS(th)
    0.7 V to 1.2 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TSOP-6 dual
  • 工作温度 min
    -55 °C
  • 引脚数量
    6 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Super Logic Level
OPN
BSL205NH6327XTSA1
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP6-6
封装名 TSOP-6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 N/A
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-TSOP6-6
封装名 TSOP-6
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合，这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力，非常适合各种应用，包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 超级逻辑电平
  • 雪崩额定值
  • 快速开关
  • Dv/dt 额定值
  • 无铅镀铅
  • 符合 RoHS 标准，无卤素
  • 符合汽车标准
  • 支持 PPAP

产品优势

  • 低 RDS(on) 提供更高效率并延长电池寿命
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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