BSL306N

采用 TSOP-6 封装的双 N 沟道小信号 30 V MOSFET

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

BSL306N
BSL306N

商品详情

  • Ciss
    207 pF
  • Coss
    75 pF
  • ID max
    2.3 A
  • IDpuls max
    9 A
  • Ptot max
    0.5 W
  • QG
    1.6 nC
  • RDS (on) max
    57 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    93 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V LL) max
    93 mΩ
  • RthJA max
    250 K/W
  • VDS max
    30 V
  • VGS(th)
    1.2 V to 2 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    TSOP-6 dual
  • 工作温度 min
    -55 °C
  • 引脚数量
    6 Pins
  • 极性
    N
  • 模式
    Enhancement
OPN
产品状态
英飞凌封装名称
封装名
包装尺寸
包装类型
湿度
防潮包装
无铅
无卤素
符合RoHS标准
Infineon stock last updated:
英飞凌科技为汽车和工业制造商提供广泛的 N 和 P 沟道小信号 MOSFET 产品组合,这些产品满足并超越知名行业标准封装的最高质量要求。这些组件具有无与伦比的可靠性和制造能力,非常适合各种应用,包括 LED 照明、ADAS、车身控制单元、SMPS 和电机控制。

特性

  • 增强模式
  • 逻辑电平
  • 雪崩额定
  • 快速开关
  • Dv/dt额定
  • 无铅镀层
  • 符合RoHS标准,不含卤素
  • 符合汽车标准
  • 支持PPAP

产品优势

  • 低 RDS(on) 提供更高效率并延长电池寿命
  • 小型封装节省 PCB 空间
  • 一流的质量和可靠性

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }