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符合RoHS标准
无铅

BSS83I

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采用 SOT23 封装的工业级 P 通道功率 MOSFET，降低了中低功率应用的设计复杂性
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封装
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BSS83I
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商品详情

  • ID (@25°C) max
    -0.55 A
  • QG (typ @4.5V)
    -0.87 nC
  • QG (typ @10V)
    -1.79 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1700 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    2200 mΩ
  • VDS max
    -60 V
  • VGS(th)
    -1 V to -2 V
  • Package
    SOT-23
  • Operating Temperature
    -55 °C to 150 °C
  • Polarity
    P
  • Special Features
    Small Signal
受到推崇的
OPN
BSS83IXUSA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-SOT23-3
封装名 SOT-23
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-SOT23-3
封装名 SOT-23
包装尺寸 3000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 2
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
OptiMOS ™ P 通道功率 MOSFET 非常适合负载开关、电池管理和反极性保护应用。OptiMOS ™ P 沟道功率 MOSFET 的主要优势在于简化了中低功率应用中的设计复杂性。 英飞凌 OptiMOS ™功率 MOSFET 易于与微控制器单元 (MCU) 接口、切换速度快、抗雪崩能力强，适合要求高质量的应用。

特性

  • 100% 雪崩测试
  • 逻辑级别
  • 无铅电镀；符合 RoHS 规定
  • 符合工业应用要求

产品优势

  • 轻松与 MCU 接口
  • 低负载下效率提高
  • 快速切换
  • 雪崩强度
  • 一流的质量和可靠性

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