现货，推荐
符合RoHS标准

BSZ011NE2LS5I

采用小型 PQFN 3.3x3.3mm 封装，采用同类最佳的 OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 25V，显著降低 RDS(on)
数据手册
封装
评估板
每件.
有存货

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BSZ011NE2LS5I
BSZ011NE2LS5I
每件.
数据手册

商品详情

  • ID (@ TC=25°C) max
    202 A
  • ID (@25°C) max
    202 A
  • IDpuls max
    808 A
  • Ptot max
    69 W
  • QG (typ @10V)
    37 nC
  • QG (typ @4.5V)
    17 nC
  • RDS (on) (@10V) max
    1.1 mΩ
  • RDS (on) (@4.5V) max
    1.5 mΩ
  • VDS max
    25 V
  • VGS(th)
    1.77 V
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3 Fused Lead
  • 工作温度
    -55 °C to 150 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N
  • 特殊功能
    Schottky ( includes Schottky like and FETky )
  • 预算价格€/1k
    0.62
推荐的
OPN
BSZ011NE2LS5IATMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8
封装名 PQFN 3x3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
BSZ011NELS5I OptiMOS ™ 5 功率 MOSFET 是一款采用高性能 PQFN 3.3x3.3mm 封装、带有集成肖特基二极管的附加器件，可补充英飞凌的高性能产品组合。它可以通过显著降低服务器和电信 SMPS 中的同步整流等应用中的 RDS(on) 来进一步提高系统效率。出色的电气性能与小型 PQFN 3.3x3.3mm 封装相结合，进一步增强了目标应用中一流的功率密度和外形尺寸改进。

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