现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

BSZ15DC02KD H

数据手册
封装

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BSZ15DC02KD H
BSZ15DC02KD H
数据手册

商品详情

  • Ciss
    315 pF, 270 pF
  • Coss
    114 pF, 110 pF
  • ID (@25°C) max
    3.2 A, 5.1 A
  • IDpuls max
    20 A, -13 A
  • Ptot max
    2.5 W
  • QG (typ @4.5V) max
    3 nC
  • RDS (on) (@4.5V) max
    55 mΩ, 150 mΩ
  • RthJA max
    60 K/W
  • RthJC max
    8 K/W
  • Rth
    8 K/W
  • VDS max
    20 V, -20 V
  • VGS(th)
    -1.4 V to -0.7 V, 0.8 V to 1.4 V
  • 安装
    SMD
  • 封装
    PQFN 3.3 x 3.3
  • 工作温度
    -55 °C to 175 °C
  • 引脚数量
    8 Pins
  • 极性
    N+P
  • 模式
    Enhancement
  • 预算价格€/1k
    0.39
推荐的
OPN
BSZ15DC02KDHXTMA1
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8-31
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSDSON-8-31
封装名 PQFN 3.3 x 3.3
包装尺寸 5000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 1
防潮包装 NON DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
互补功率 MOSFET（同一封装内的 n 沟道和 p 沟道功率 MOSFET）是英飞凌著名的低压 OptiMOS ™系列的一部分，该系列是高效发电解决方案的市场领导者（例如太阳能微型逆变器）、电源（例如服务器和电信）和功耗（例如电动汽车

特性

  • 互补 P + N 沟道
  • 增强模式
  • 雪崩额定值
  • 符合 AEC Q101 要求
  • 100% 无铅；符合 RoHS 标准

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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