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CY14B101J2-SXIT
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

CY14B101J2-SXIT

停产
数据手册
封装

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CY14B101J2-SXIT
CY14B101J2-SXIT
数据手册
  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    220 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    3.4 MHz
OPN
CY14B101J2-SXIT
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066 )
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066 )
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B101J2-SXIT是一款 1-Mbit (128K × 8) 串行 ( I2C ) nvSRAM，它将 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性元件相结合，无需备份即可保持数据。 其工作电压范围为 2.7 V 至 3.6 V，工作温度范围为 -40°C 至 85°C，支持高达 3.4 MHz 的I2C时钟频率，具有零周期延迟的读/写功能，并且使用 VCAP 引脚在掉电时执行自动存储。 支持软件 STORE/RECALL 和 WP 硬件写保护。

特性

  • 1 Mbit nvSRAM，128K × 8 阵列
  • I2C最高频率 3.4 MHz（高速模式）
  • 1MHz 快速模式 Plus I2C
  • 支持 100 kHz 和 400 kHz I2C 模式
  • 断电时自动存储
  • 通过 I2C 命令执行 STORE
  • 通过 HSB 引脚硬件 STORE
  • 上电时或通过 I2C 命令执行 RECALL
  • WP 引脚硬件写保护
  • 分块保护：1/4、1/2、全部
  • 8字节序列号
  • 制造商 ID 和产品 ID 可读

产品优势

  • 掉电自动保存数据
  • 无写入延迟，类似 SRAM 的访问
  • 3.4 MHz 支持快速数据记录
  • 灵活的SROTE/RECALL控制选项
  • WP和块保护机制防止数据损坏
  • ID/序列号支持可追溯性
  • 降低备份相关固件复杂度
  • 减少欠电后的停机时间
  • 采用 QuantumTrap 实现长寿命数据存储
  • 85°C下保存20年
  • 支持 100 万次 STORE 循环，耐久性强
  • 8 µA 休眠电流降低待机功耗

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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