CY14B104NA-ZSP25XI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY14B104NA-ZSP25XI

数据手册
封装

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CY14B104NA-ZSP25XI
CY14B104NA-ZSP25XI
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推荐的
OPN
CY14B104NA-ZSP25XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 216
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-54
封装名 TSOP-II-54 (51-85160)
封装尺寸 216
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B104NA-ZSP25XI 是一款 4 Mbit nvSRAM (256K × 16)，它将快速 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器集成在一起。它在 -40°C 至 85°C 的温度范围内，使用 2.7 V 至 3.6 V 的单电源供电，并支持 25 ns 的访问时间。 数据在掉电时使用 61 µF 至 180 µF VCAP 电容器自动存储，并且可以通过软件STORE或者RECALL。 它可提供 20 年的数据保存期和 100 万次 STORE 循环，用于关键数据记录。

特性

  • 4-Mbit nvSRAM、SRAM 接口
  • 电源恢复时自动存储
  • 通过乘方向上或软件召回
  • 通过软件或硬件存储
  • 量子阱非易失性元素
  • 2.7V 至 3.6V 单电源
  • 工作温度-40°C至+85°C
  • 20 年数据保留
  • 1,000 K 非易失性存储操作
  • VCAP 外部电容 61–180 µF
  • VSWITCH 低电平 V 触发 2.65 V
  • 存储持续时间 tSTORE 最大 8 毫秒

产品优势

  • 类似 SRAM 的即时访问时间
  • 无需固件实现掉电保存
  • 上电后可快速恢复
  • 灵活的保存控制选项
  • NVM可靠性高于EEPROM
  • 适用于稳压3V电源轨
  • 在严苛温度下稳定运行
  • 长保持时间可保护配置数据
  • 高耐久度支持频繁保存
  • 小电容即可实现无电池备份的保存
  • 可预测的欠压保存触发点
  • STORE 时间短，减少停机时间

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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