CY14B108L-ZS25XI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY14B108L-ZS25XI

数据手册
封装

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CY14B108L-ZS25XI
CY14B108L-ZS25XI
数据手册
  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    25 ns
推荐的
OPN
CY14B108L-ZS25XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B108L-ZS25XI 是一款 8 Mbit nvSRAM (1024 K × 8)，结合了 SRAM 和 QuantumTrap 非易失性存储器。它的工作电压为 2.7 V 至 3.6 V，支持 25 ns 访问时间。 自动存储在掉电时使用 122 µF 至 360 µF VCAP 电容器将 SRAM 保存到非易失性存储器中，同时STORE/RECALL也可以由软件或 HSB 引脚触发。 在 -40 至 85°C 温度范围内，数据保存期为 20 年，STORE循环次数为 1,000 K。

特性

  • 具有 SRAM 接口的 8 Mbit nvSRAM
  • 快速访问/访问时间低至 20 ns
  • 电源恢复时自动存储
  • 通过软件或 HSB 引脚存储
  • 通过软件或乘方上召回
  • QuantumTrap 非易失性信元
  • 20 年数据保留
  • 1,000K 存储耐久度
  • 单路3V电源：2.7V至3.6V
  • VCAP 电容器：122 uF 至 360 uF
  • 低于 2.65 V 时禁止读写
  • 乘方向上 RECALL 持续时间 20 毫秒

产品优势

  • SRAM 般的速度，无需电池
  • 20 ns 减少了存储器访问时间延迟
  • 关机时自动保存数据
  • 灵活的备份方式：软件或 HSB 控制
  • 供电恢复后可快速还原数据
  • 高可靠性的 QuantumTrap 备份技术
  • 无需刷新即可长时间保持数据
  • 可承受频繁的掉电/上电事件
  • 单一 3V 供电轨，减少稳压器/电源转换器需求
  • 只需小电容即可实现简化的备份硬件方案
  • 防止欠压（brownout）时数据损坏
  • 20 毫秒 RECALL 加速系统启动

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }