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CY14B256LA-SZ45XIT

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CY14B256LA-SZ45XIT
CY14B256LA-SZ45XIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    45 ns
OPN
CY14B256LA-SZ45XIT
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-32
封装名 SOIC-32 (51-85127)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 N/A
防潮包装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-DSO-32
封装名 SOIC-32 (51-85127)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 -
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14B256LA-SZ45XIT是一款256 Kbit（32 K×8）并行nvSRAM，将高速SRAM与QuantumTrap非易失单元集成。工作电压2.7 V至3.6 V，温度-40°C至+85°C，访问45 ns。掉电时通过61–180 µF的VCAP电容自动STORE，支持高达100万次STORE和20年数据保持；STORE/RECALL也可由软件或HSB引脚控制。

特性

  • 32 K×8并行SRAM接口
  • 每单元QuantumTrap非易失
  • 掉电AutoStore(VCAP)
  • HSB引脚触发STORE
  • 6次读序列STORE/RECALL
  • 全阵列并行STORE/RECALL
  • 单电源2.7 V至3.6 V
  • 非易失STORE次数1000 K
  • 数据保持20年
  • SRAM读写次数无限
  • 待机电流最大5 mA
  • 输入漏电±1 µA(非HSB)

产品优势

  • 断电自动保存数据
  • 数据备份无需电池
  • 接口如SRAM易替换
  • STORE控制方式灵活
  • 纯软件实现备份/恢复
  • 上电后快速恢复数据
  • 兼容常见3 V电源
  • 支持长期关键数据记录
  • 配置数据可保存20年
  • 运行中可无限更新SRAM
  • 待机模式降低功耗
  • 降低对漏电敏感的风险

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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