CY14E101J2-SXIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14E101J2-SXIT

数据手册
封装

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CY14E101J2-SXIT
CY14E101J2-SXIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    I2C
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    3.4 MHz
推荐的
OPN
CY14E101J2-SXIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066 )
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066 )
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14E101J2-SXIT 是一款 1 Mbit (128K × 8) 串行 (I2C) nvSRAM，它将 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器相结合。它可在 -40°C 至 85°C 的温度范围内，以 4.5 V 至 5.5 V 的电压运行，采用 8 引脚 SOIC 封装，并带有 VCAP。它支持高达 3.4 MHz 的 I2C，并提供零周期延迟的读取/写入。AutoStore 在断电时保存 SRAM，并在上电时恢复 RECALL，具有 100 万次存储循环次数和 85°C 下 20 年的保留时间。

特性

  • 1 Mbit nvSRAM，128K × 8 阵列
  • I2C最高频率 3.4 MHz（高速模式）
  • 1MHz 快速模式 Plus I2C
  • 100 kHz 和 400 kHz I2C模式
  • 电源恢复时自动存储
  • 通过I2C命令存储
  • 通过 HSB 引脚进行硬件存储
  • 通过乘方向上或I2C命令调用
  • WP 引脚硬件写保护
  • 功能块保护1/4、1/2、全
  • 8字节序列号
  • 制造商 ID 和产品 ID 可读

产品优势

  • 掉电自动保存数据
  • 无写入延迟，类似 SRAM 的访问
  • 3.4 MHz 支持快速数据记录
  • 灵活的SROTE/RECALL控制选项
  • WP和块保护机制防止数据损坏
  • ID/序列号支持可追溯性
  • 降低备份相关固件复杂度
  • 减少欠电后的停机时间
  • 采用 QuantumTrap 实现长寿命数据存储
  • 85°C下保存20年
  • 支持 100 万次 STORE 循环，耐久性强
  • 8 µA 休眠电流降低待机功耗

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }