CY14MB064Q2A-SXQT
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14MB064Q2A-SXQT

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14MB064Q2A-SXQT
CY14MB064Q2A-SXQT
  • 密度
    64 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 105 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 组织(X x Y)
    8Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial(Q)
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    40 MHz
OPN
CY14MB064Q2A-SXQT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 SOIC-8 (51-85066 )
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 SOIC-8 (51-85066 )
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14MB064Q2A-SXQT 是一款 64Kbit (8K × 8) SPI nvSRAM,它将 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器相结合,可实现无软件延迟的非易失性写入。数据存储会在电源掉电时使用小型 VCAP 电容器自动进行,并且 RECALL 会在上电时恢复 SRAM。 其工作电压范围为 2.7 V 至 3.6 V,工作温度范围为 -40°C 至 +105°C,支持 40 MHz SPI(模式 0 和 3),并提供写入和块保护以及 8 字节序列号。

特性

  • 64-Kbit nvSRAM,8K x 8 阵列
  • 量子阱非易失性元素
  • 通过 VCAP 电源恢复时自动存储
  • 通过SPI指令进行存储/调用
  • 用于读/写操作的 40 MHz SPI 时钟
  • 支持SPI模式0和模式3
  • 8 字节序列号 (RDSN/WRSN)
  • 制造商 ID 和产品 ID
  • 软件写入禁用 (WRDI)
  • 功能块保护 1/4、1/2 或全部
  • 40 MHz (3 V) 时最大 ICC 为 5 mA
  • 睡眠模式电流最大 20 微安

产品优势

  • 无需电池即可保存数据
  • 快速写入,无需等待状态
  • 电量丢失时自动保存状态
  • SPI STORE/RECALL简化了系统控制
  • 40 MHz 适用于高速控制回路
  • 兼容常见 SPI 主机
  • Unique ID 实现可追溯性
  • 轻松识别系统内器件
  • 防止意外写入
  • 保护关键配置块
  • 低工作电流降低功耗
  • 休眠模式延长待机时间

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }