现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14U256LA-BA35XIT

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY14U256LA-BA35XIT
CY14U256LA-BA35XIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32K x 8
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY14U256LA-BA35XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14U256LA-BA35XIT是一款256-Kbit（32 K×8）并行nvSRAM，将高速SRAM与QuantumTrap非易失存储结合。支持35 ns访问时间，掉电时通过VCAP电容（120 µF至180 µF）自动AutoStore，上电或通过软件/HSB引脚RECALL。额定100万次STORE与20年数据保持。工作电压VCC 2.7 V至3.6 V、VCCQ 1.65 V至1.95 V，温度-40至85°C，封装为48球FBGA。

特性

  • 32K×8 SRAM+非易失
  • SRAM访问时间35 ns
  • 掉电自动STORE(VCAP)
  • VCAP电容120–180 µF
  • STORE:自动/引脚/软件
  • 上电或软件RECALL
  • HSB开漏忙指示
  • VCC低时禁写/禁STORE
  • VCCQ低时I/O禁用
  • VCC电源2.7–3.6 V
  • VCCQ I/O电源1.65–1.95 V
  • 数据保持20年, 1000K STORE

产品优势

  • 断电数据不丢失
  • 35 ns降低等待周期
  • 自动STORE无需固件干预
  • VCAP简化掉电保存设计
  • 引脚/软件STORE更灵活
  • 每次上电快速恢复数据
  • HSB忙指示避免冲突
  • 低VCC禁写防数据损坏
  • I/O禁用防棕断误写
  • 适配3.3 V系统电源
  • 低压I/O匹配MPU接口
  • 适合频繁保存且寿命长

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }