CY14V101QS-SE108XI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY14V101QS-SE108XI

数据手册
封装

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CY14V101QS-SE108XI
CY14V101QS-SE108XI
数据手册
  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    QSPI
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    108 MHz
推荐的
OPN
CY14V101QS-SE108XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (51-85022)
封装尺寸 230
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-16
封装名 SOIC-16 (51-85022)
封装尺寸 230
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14V101QS-SE108XI是一款 1 Mbit (128K × 8) nvSRAM，它将 SRAM 与 SONOS 非易失性单元相结合，无需电池即可保留数据。 它支持 SPI, Dual SPI和Quad SPI (QPI)，最高速度可达 108 MHz (54 MBps)，在掉电时执行自动存储，在上电时执行RECALL；也可以通过命令执行STORE/RECALL。 工业级产品工作电压范围为 2.7 V–3.6 Vcore和 1.71 V–2.0 VI/O，工作温度范围为 –40°C 至 85°C。

特性

  • 1-Mbit (128K × 8) nvSRAM阵列
  • SPI/DPI/QPI 接口高达 108 MHz
  • 40 MHz 读取，0 周期延迟
  • 读写带宽 54 MBps
  • SPI 模式 0 和 3 (CPOL/CPHA)
  • 突发模式通过旋转读取
  • 突发模式写入与转动
  • 通过 VCAP 电源恢复时自动存储
  • 乘方向上自动调用
  • 软件存储/召回说明
  • 通过 HSB 获取硬件 STORE 和状态
  • 20 年客户留存率，100 万次门店使用

产品优势

  • 具备 SRAM 速度访问，同时提供非易失性安全保护
  • 108 MHz 实现快速数据传输
  • 零延迟读取减少等待状态
  • 54 MBps 支持高吞吐量
  • 兼容 SPI 模式 0/3，主机时序更易实现
  • 突发读减少命令开销
  • 突发写加速块数据更新
  • AutoStore 掉电保护数据
  • 上电 RECALL 快速恢复数据
  • 软件保存/恢复简化固件开发
  • HSB 引脚支持硬件管理备份
  • 长期数据保持降低维护需求
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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