CY14V104LA-BA45XIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14V104LA-BA45XIT

数据手册
封装

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CY14V104LA-BA45XIT
CY14V104LA-BA45XIT
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 8
  • 质量等级
    Industrial
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY14V104LA-BA45XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85128)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
US
CY14V104LA-BA45XIT是一款 4 Mbit (512 K × 8) nvSRAM，它将快速 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器结合在每个单元中。 它支持 45 ns 访问，并使用 61 µF 至 180 µF VCAP 电容器掉电时自动进行存储，并在上电时或软件进行 RECALL。额定数据保持时间为 20 年，存储循环次数为 1,000 K 次，在 48 球 FBGA 封装中，内核电源范围为 3.0 V 至 3.6 V，I/O电源范围为 1.65 V 至 1.95 V，工作温度范围为 -40 至 85°C。

特性

  • 25 ns 或 45 ns 访问/访问时间
  • 电源恢复时自动存储
  • 通过软件或器件引脚存储
  • 通过软件或乘方上召回
  • 1,000 K 非易失存储周期
  • 20 年数据保留
  • 电路供电电压 3.0 V 至 3.6 V 磁芯电源
  • VCCQ 1.65V 至 1.95V VI/O 电源
  • VCAP 电容器 61 uF 至 180 uF
  • 自动存储电流 (ICC4) 最大 8 mA
  • 待机电流 ISB 最大 8 mA
  • CMOS I/O 电平（VIH 0.7×VCCQ）

产品优势

  • 电量丢失时自动备份
  • 快速读取，适用于实时数据
  • 灵活的保存控制选项
  • 上电 RECALL 快速重启/恢复
  • 支持频繁非易失保存
  • 长期保留关键数据
  • 适配标准 3.3 V 电源轨
  • 可直接与 1.8 V 逻辑电平接口
  • VCAP 保持电容设计简单
  • AutoStore 期间便于PSU sizing
  • 待机模式降低空闲功耗
  • 采用 CMOS 电平，便于与 MCU 连接

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区