现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14V116G7-BZ30XIT

数据手册
封装

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CY14V116G7-BZ30XIT
CY14V116G7-BZ30XIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    30 ns
推荐的
OPN
CY14V116G7-BZ30XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
包装尺寸 1000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14V116G7-BZ30XIT是一款16 Mbit nvSRAM，采用符合ONFI 1.0的异步NAND接口，单I/O速率最高33 MT/s（30 ns访问），x16吞吐量达528 Mb/s。集成QuantumTrap SONOS非易失存储，支持掉电自动AutoStore，以及软件或HSB硬件STORE/RECALL。VCC 2.7 V至3.6 V、VCCQ 1.70 V至1.95 V，-40至85°C，165球FBGA封装。

特性

  • 16 Mbit nvSRAM(含SONOS)
  • ONFI 1.0异步NAND接口
  • x8或x16数据总线
  • 33 MT/s每IO,至528 Mbps
  • I/O访问时间30 ns
  • 掉电AutoStore(VCAP)
  • 软件或HSB硬件STORE
  • 上电RECALL到SRAM
  • 状态寄存器(结果,WP)
  • 85°C数据保持20年
  • 非易失STORE 100万次
  • VCC 2.7-3.6 V;VCCQ 1.70-1.95 V

产品优势

  • 实现SRAM级读写速度
  • 主控可直接用NAND接口
  • x16选项提升带宽
  • 528 Mbps加速数据传输
  • 30 ns降低读取延迟
  • 断电自动保存防丢数据
  • 软硬件STORE易于控制
  • 上电快速恢复SRAM数据
  • 状态位便于监控诊断
  • 20年保持确保数据可靠
  • 100万次STORE适合频繁更新
  • 双电源简化电平匹配

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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