CY14V116N-BZ30XIT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY14V116N-BZ30XIT

数据手册
封装

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CY14V116N-BZ30XIT
CY14V116N-BZ30XIT
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.7 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2031
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    30 ns
推荐的
OPN
CY14V116N-BZ30XIT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-BGA-165
封装名 FBGA-165 (51-85195)
封装尺寸 1000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY14V116N-BZ30XIT是一款 16 Mbit (1024K × 16) nvSRAM，它将快速 SRAM 与 QuantumTrap 非易失性存储器结合在每个单元中。 它支持使用小型 VCAP 电容器在掉电时自动存储，以及硬件或软件STORE/RECALL控制。 165 球 FBGA 封装，可在 -40°C 至 85°C 范围内工作，内核电源 2.7 V～3.6 V，I/O 电源 1.65 V～1.95 V；访问时间 30 ns，数据保存期 20 年。

特性

  • 16 Mbit nvSRAM (1024K × 16)
  • 每个信元中的 QuantumTrap NVM
  • 通过 VCAP 电源恢复时自动存储
  • 通过 HSB 引脚或软件 seq 存储
  • 召回乘方向上或软件序列
  • 所有信元的并行存储/调用
  • 存储/调用期间读写操作被阻止
  • 字节为8位操作提供的BHE/BLE
  • 电路供电电压 磁芯电源 2.7 V 至 3.6 V
  • VCCQ I/O 供电电压为 1.65V 至 1.95V
  • 睡眠模式电流为 10 µA
  • 20 年数据保留

产品优势

  • 断电数据保持
  • 无需电池的非易失备份
  • 简单的掉电数据保护
  • 灵活的保存/恢复控制选项
  • 上电通过 RECALL 快速重启
  • STORE/RECALL 行为确定、可预测
  • 支持 8 位或 16 位总线设计
  • 低休眠电流降低待机功耗
  • 独立的 VCC/VCCQ 便于电平转换
  • 高耐久性，适合频繁保存
  • 并行传输将停机时间降到最低
  • 仅在 SRAM 被写入时才执行 STORE，避免不必要的保存

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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