CY15B004J-SXE
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B004J-SXE

数据手册
封装

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CY15B004J-SXE
CY15B004J-SXE
数据手册


商品详情

  • Frequency
    3.4 MHz
  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    3 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 质量等级
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY15B004J-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY15B004J-SXE是一款4 Kbit（512 × 8）汽车级串行F-RAM，采用I2C接口，支持10万亿次（10¹³）读写，85°C下数据保持121年。工作电压3.0 V至3.6 V，温度范围–40°C至+125°C，具备NoDelay™总线速度写入，100 kHz下工作电流120 μA，符合AEC-Q100 Grade 1和RoHS标准。高耐久性与快速可靠写入，适用于数据记录、工业控制和需频繁非易失存储的汽车系统。

特性

  • 4-Kbit（512×8）F-RAM存储器
  • 10^13次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™瞬时写入技术
  • I2C接口最高1 MHz
  • 低功耗：120 μA工作，20 μA待机
  • 宽电压：3.0 V至3.6 V
  • –40°C至+125°C工作范围
  • 直接替换I2C EEPROM
  • 支持100 kHz、400 kHz、1 MHz I2C
  • 输出引脚电容最大8 pF
  • 输入引脚电容最大6 pF

产品优势

  • 关键数据可靠非易失存储
  • 支持频繁数据记录无磨损
  • 瞬时写入消除数据丢失风险
  • 直接替换简化升级
  • 低功耗降低系统能耗
  • 适用严苛汽车环境
  • 无写延迟提升系统速度
  • 宽电压简化电源设计
  • 长期保持确保数据完整
  • 兼容传统与高速I2C
  • 低电容支持高速总线
  • 高耐久性降低维护成本

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区