CY15B102QSN-108SXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B102QSN-108SXI

数据手册
封装

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CY15B102QSN-108SXI
CY15B102QSN-108SXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    2 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    QSPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    108 MHz
推荐的
OPN
CY15B102QSN-108SXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 470
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 470
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B102QSN-108SXI是一款2 Mb EXCELON Ultra铁电存储器（F-RAM），采用四路SPI接口，256K × 8结构，支持高达108 MHz时钟。工作电压1.8 V至3.6 V，温度范围–40°C至+85°C，具备瞬时非易失性写入、10^14次耐久性和65°C下151年数据保持。支持ECC/CRC数据保护、硬件和软件写保护及256字节专用扇区，8引脚SOIC封装，适用于工业高速可靠存储。

特性

  • 2-Mbit F-RAM，256K × 8结构
  • 100万亿次读写耐久
  • 65°C下151年数据保持
  • 即时非易失性写入无延迟
  • 支持四/双/扩展/单SPI
  • SPI SDR 108 MHz，DDR 54 MHz
  • 内嵌ECC：1位纠错2位检测
  • 硬件/软件写保护
  • 唯一设备及序列号
  • 低功耗：10 mA工作，0.1 µA休眠
  • 256字节特殊区耐回流

产品优势

  • 频繁快速数据记录更可靠
  • 断电无数据丢失
  • 无写入延迟提升效率
  • 灵活接口适配多控制器
  • 高速SPI实现快速访问
  • ECC保障数据完整性
  • 防止误写保护数据
  • 支持设备追踪与安全
  • 低功耗延长电池寿命
  • 特殊区适合安全存储
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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