请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本 请注意，这是一个已停产的产品。 查看较新的替代产品版本
视图替换
停产
已停产
符合RoHS标准
无铅

CY15B104QSN-108LPXI

停产
数据手册
封装
评估板
视图替换

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY15B104QSN-108LPXI
CY15B104QSN-108LPXI
视图替换
数据手册

商品详情

  • 密度
    4096 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    QSPI
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    108 MHz
OPN
CY15B104QSN-108LPXI
产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-VQFN-8
封装名 GQFN-8 (002-18131)
包装尺寸 490
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
视图替换

产品状态 discontinued
英飞凌封装名称
PG-VQFN-8
封装名 GQFN-8 (002-18131)
包装尺寸 490
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B104QSN-108LPXI是一款4 Mbit EXCELON™ Ultra铁电RAM，采用四路SPI接口，512K × 8结构，支持108 MHz SDR和54 MHz DDR。具备高耐久性，65°C下151年数据保持，写入无延迟。工作电压1.8 V至3.6 V，温度-40°C至+85°C，低功耗，集成ECC/CRC，写保护，256字节特殊扇区。8引脚GQFN封装，RoHS兼容，不推荐新设计。

特性

  • 4 Mbit F-RAM，512K × 8结构
  • 10^14次读写耐久
  • 151年数据保存
  • 四/双/扩展SPI协议
  • SPI SDR 108 MHz，DDR 54 MHz
  • 支持XIP直接执行
  • 硬件/软件写保护
  • 内置ECC和CRC数据完整性
  • 唯一设备及序列号
  • 专用256字节特殊区
  • 低工作电流10 mA，待机110 µA
  • 深度掉电与休眠模式

产品优势

  • 151年数据可靠保存
  • 写入无延迟，数据即刻存储
  • 高频写入无磨损风险
  • 108 MHz SPI快速访问
  • 灵活接口易于集成
  • ECC/CRC保障数据完整
  • 写保护提升安全性
  • 唯一ID便于追溯
  • 特殊区耐回流焊
  • 低功耗适合节能设计
  • 休眠模式延长电池寿命
  • XIP支持直接代码执行

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }