CY15B104QSN-108SXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B104QSN-108SXI

4Mb 3.0V 工业级 108MHz QSPI EXCELON ™ F-RAM，8 引脚 SOIC 封装
数据手册
封装
评估板

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CY15B104QSN-108SXI
CY15B104QSN-108SXI
数据手册
  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    QSPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 8
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    0 ns
  • 频率
    108 MHz
推荐的
OPN
CY15B104QSN-108SXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 470
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
封装尺寸 470
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B104QSN-108SXI是一款4 Mbit EXCELON™ Ultra铁电存储器（F-RAM），采用四路SPI接口，512K × 8组织，支持108 MHz SDR和54 MHz DDR操作。具备100万亿次读写耐久性和65°C下151年数据保持，写入无延迟。工作电压1.8 V至3.6 V，温度-40°C至+85°C，低工作电流，集成ECC和CRC数据保护及多重写保护，适用于严苛工业应用。

特性

  • 4 Mbit F-RAM，512K × 8结构
  • 10^14次读写耐久
  • 151年数据保存
  • 四/双/扩展SPI协议
  • SPI SDR 108 MHz，DDR 54 MHz
  • 支持XIP直接执行
  • 硬件/软件写保护
  • 内置ECC和CRC数据完整性
  • 唯一设备及序列号
  • 专用256字节特殊区
  • 低工作电流10 mA，待机110 µA
  • 深度掉电与休眠模式

产品优势

  • 151年数据可靠保存
  • 写入无延迟，数据即刻存储
  • 高频写入无磨损风险
  • 108 MHz SPI快速访问
  • 灵活接口易于集成
  • ECC/CRC保障数据完整
  • 写保护提升安全性
  • 唯一ID便于追溯
  • 特殊区耐回流焊
  • 低功耗适合节能设计
  • 休眠模式延长电池寿命
  • XIP支持直接代码执行
文档

设计资源

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