现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B201QN-50SXET

数据手册
封装

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CY15B201QN-50SXET
CY15B201QN-50SXET
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 范围
    1.8 V 至 3.6 V
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    Excelon™
  • 组织(X x Y)
    128Kb x 8
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 频率
    50 MHz
推荐的
OPN
CY15B201QN-50SXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (001-85261)
包装尺寸 2000
包装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15B201QN-50SXET是一款1-Mb EXCELON™ Auto铁电RAM（F-RAM），具备10万亿次读写耐久性和121年数据保存能力。工作电压1.8 V至3.6 V，温度范围-40°C至+125°C，符合AEC-Q100 Grade 1汽车标准。支持最高50 MHz SPI，提供高级写保护、唯一ID和序列号寄存器。低功耗模式和强数据完整性适用于汽车和工业应用。

特性

  • 1Mb铁电RAM，128K×8结构
  • 10^13次超高耐久读写
  • 85°C下121年数据保存
  • 即时非易失写入无延迟
  • SPI接口最高50 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 设备/唯一ID和序列号
  • 256字节专用扇区
  • 4.3mA有源/3.2µA待机电流
  • 深度掉电/休眠模式
  • 宽VDD：1.8V至3.6 V

产品优势

  • 断电后数据可靠保存
  • 超高耐久适合频繁写入
  • 写入无等待高效存储
  • 高速满足严苛应用
  • SPI标准灵活集成
  • 数据保护安全增强
  • 唯一ID便于追溯
  • 专区耐回流焊
  • 低功耗延长电池寿命
  • 多电源模式降低待机损耗
  • 适应恶劣环境
  • 可替换EEPROM/Flash

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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