CY15B256J-SXE
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15B256J-SXE

数据手册
封装

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CY15B256J-SXE
CY15B256J-SXE
数据手册


商品详情

  • Frequency
    3.4 MHz
  • 密度
    256 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    I2C
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    32Kb x 8
  • 质量等级
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY15B256J-SXE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 485
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY15B256J-SXE是一款256 Kbit（32K × 8）汽车级串行铁电RAM（F-RAM），采用I2C接口，具备非易失性存储、10万亿（10¹³）次读写耐久性和85°C下121年数据保持能力。工作电压2.0 V至3.6 V，温度范围–40°C至+125°C，具有低工作电流（100 kHz时500 µA）、12 µA休眠模式和总线速度下的NoDelay™快速写入。通过AEC-Q100 Grade 1认证，符合RoHS标准，是严苛汽车和工业应用中串行EEPROM的直接替代方案。

特性

  • 256 Kbit非易失性F-RAM，32K×8结构
  • I2C串行接口最高3.4 MHz
  • NoDelay™写入，RAM级速度
  • 10^13次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • 低功耗：500 μA工作，12 μA休眠
  • 宽VDD：2.0 V至3.6 V
  • 工作温度：–40°C至+125°C
  • 设备ID含厂商和产品信息
  • 可直接替换串行EEPROM

产品优势

  • 实现即时可靠数据存储
  • 支持快速频繁数据记录
  • 消除写入延迟，适合实时系统
  • 写入寿命远超EEPROM
  • 数十年数据无需刷新
  • 降低系统功耗
  • 适应多种电压环境
  • 汽车环境下可靠运行
  • 简化设备识别与追溯
  • 轻松升级EEPROM设计

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区