CY15E004Q-SXET
现货，推荐
符合RoHS标准

CY15E004Q-SXET

数据手册
封装

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CY15E004Q-SXET
CY15E004Q-SXET
数据手册


商品详情

  • Frequency
    16 MHz
  • 密度
    4 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    0.5Kb x 8
  • 质量等级
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY15E004Q-SXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY15E004Q-SXET是一款4 Kbit（512 × 8）汽车级串行F-RAM，支持高达16 MHz的SPI接口，在–40°C至+125°C、4.5 V至5.5 V范围内工作。具备10^13次读写耐久、85°C下121年数据保持和总线速度NoDelay™即时写入。8引脚SOIC封装，符合AEC-Q100 Grade 1和RoHS标准，适用于汽车和工业高频、快速、可靠非易失性存储需求。

特性

  • 4-Kbit F-RAM，512×8结构
  • 10^13次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™总线速度写入
  • SPI接口最高16 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件/软件写保护
  • 1 MHz时300 μA工作电流
  • 85°C下10 μA待机电流
  • VDD工作电压4.5-5.5 V
  • 工作温度-40°C至+125°C
  • 先进铁电工艺

产品优势

  • 可靠非易失性数据存储
  • 无写入延迟，快速更新
  • 支持频繁高速写入
  • 高温下数据长期保存
  • 可直接替换串行闪存/EEPROM
  • 低功耗延长系统寿命
  • 宽电压温度适用灵活
  • 多重保护保障数据安全
  • 高速SPI简化集成
  • 无需磨损均衡或刷新
  • 恶劣环境下稳定运行
  • 全寿命性能一致

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区