CY15E016Q-SXET
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY15E016Q-SXET

数据手册
封装

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CY15E016Q-SXET
CY15E016Q-SXET
数据手册


商品详情

  • Frequency
    16 MHz
  • 密度
    16 kBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    SPI
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 组织(X x Y)
    2Kb x 8
  • 质量等级
    Automotive(E)
  • 速度
    0 ns

推荐的
OPN
CY15E016Q-SXET
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TH
晶圆产地
US

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-8
封装名 SOIC-8 (51-85066)
封装尺寸 2500
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TH
晶圆产地
US
CY15E016Q-SXET是一款16 Kbit（2K × 8）汽车级F-RAM，支持高达16 MHz的SPI接口，具备10万亿次（1013）读写耐久和85°C下121年数据保持。工作电压4.5 V至5.5 V，温度范围–40°C至+125°C，支持NoDelay™无延迟写入、硬件和软件写保护，85°C下待机电流10 μA。通过AEC-Q100 Grade 1和RoHS认证，适用于汽车和工业系统中的快速可靠非易失性存储。

特性

  • 16 Kbit非易失性F-RAM，2K×8结构
  • 10^13次读写耐久性
  • 85°C下121年数据保持
  • NoDelay™写入，RAM级速度
  • SPI总线频率高达16 MHz
  • 支持SPI模式0和3
  • 硬件写保护（WP引脚）
  • 软件写禁止和块保护
  • 1 MHz下300 μA工作电流
  • 85°C下10 μA待机电流
  • VDD工作范围4.5 V至5.5 V
  • –40°C至+125°C工作温度

产品优势

  • 可靠数据存储无需电池
  • 可承受频繁快速数据记录
  • 严苛环境下数据保存数十年
  • 即时写入无等待
  • 高速SPI提升系统响应
  • 灵活SPI模式便于集成
  • 硬件WP防止误写
  • 软件保护确保安全更新
  • 低工作电流降低功耗
  • 超低待机节能休眠
  • 宽VDD简化电源设计
  • 宽温度适应极端环境

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区