CY15V108QSN-108BKXI

数据手册

封装

CY15V108QSN-108BKXI

数据手册

商品详情

密度

8 MBit
峰值回流温度

260 °C
工作温度范围

-40 °C 至 85 °C
工作电压范围

1.71 V 至 1.89 V
引线球表面

Sn/Ag/Cu
接口

QSPI
目前计划的可用性至少到

2033
系列

Excelon™
组织(X x Y)

1Mb x 8
认证标准

Industrial
频率

108 MHz

	推荐的
OPN	CY15V108QSN-108BKXI
产品状态	active and preferred
英飞凌封装名称	PG-BGA-24
封装名	FBGA-24 (001-97209)
包装尺寸	960
包装类型	TRAY
湿度	3
防潮包装	DRY
无铅	Yes
无卤素	Yes
符合RoHS标准	Yes
Infineon stock last updated:

产品状态	Active
英飞凌封装名称	PG-BGA-24
封装名	FBGA-24 (001-97209)
包装尺寸	960
包装类型	TRAY
湿度	3
防潮包装	DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准

CY15V108QSN-108BKXI是一款8 Mbit EXCELON™ Ultra铁电RAM（F-RAM），具备瞬时非易失性写入和100万亿次读写耐久性。工作电压1.71 V至1.89 V，适用于-40°C至+85°C工业环境，支持108 MHz SDR和46 MHz DDR的Quad SPI接口。器件提供151年数据保持、ECC和CRC数据完整性、低功耗待机及深度掉电模式，采用24球FBGA封装，适用于工业频繁写入和控制应用。

特性

8 Mb铁电RAM，1024 K × 8结构
10^14次读写耐久
65°C下151年数据保持
支持Quad SPI、Dual SPI和标准SPI
SPI SDR最高108 MHz，DDR最高46 MHz
支持XIP直接执行
内嵌ECC每8字节纠正2位错误
CRC增强数据完整性
硬件和软件写保护
唯一ID和可编程序列号
低工作电流（12 mA）、待机（105 µA）、深度掉电（0.9
休眠模式（0.1 µA）

产品优势

151年后数据依然可靠
超高耐久适合频繁写入
总线速度下瞬时写入
多接口灵活集成
高速提升系统性能
XIP支持直接代码执行
ECC/CRC保障数据安全
多重保护防数据丢失
唯一ID便于追溯和安全
低功耗延长电池寿命
休眠/深掉电极省能耗
适用严苛工业环境

应用

设计资源

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }

CY15V108QSN-108BKXI

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