CY62128ELL-45SXA
现货，推荐
符合RoHS标准

CY62128ELL-45SXA

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62128ELL-45SXA
CY62128ELL-45SXA
数据手册

商品详情

  • 密度
    1 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    5.5 V
  • 工作电压 范围
    4.5 V 至 5.5 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    128K x 8
  • 认证标准
    Automotive
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY62128ELL-45SXA
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-DSO-32
封装名 SOIC-32 (51-85081)
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 No
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-DSO-32
封装名 SOIC-32 (51-85081)
封装尺寸 500
封装类型 TUBE
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62128ELL-45SXA是一款1 Mbit（128K × 8）CMOS SRAM，适用于4.5 V至5.5 V系统，访问时间45 ns。其为Automotive-A等级，工作温度-40°C至+85°C。低功耗设计支持CE自动掉电，待机电流典型值1 µA（最大4 µA），1 MHz时工作电流典型值1.3 mA。面向便携与车载嵌入式存储，支持TTL输入电平，采用无铅32引脚450 mil SOIC。

特性

  • 128K×8 SRAM存储结构
  • 读周期tRC 45 ns
  • VCC工作范围4.5 V至5.5 V
  • 1 MHz下ICC典型1.3 mA
  • 待机电流典型1 µA
  • 自动CE掉电(ISB2)
  • CE1/CE2与OE控制
  • 未选通输出高阻态
  • TTL兼容输入电平
  • VIH 2.2 V,VIL 0.8 V
  • 输入电容最大10 pF
  • OE到数据有效tDOE 22 ns

产品优势

  • 45 ns速度降低访问延迟
  • 5 V供电适配旧系统
  • 典型1.3 mA降低功耗
  • 1 µA待机延长电池寿命
  • 自动掉电降低空闲耗电
  • CE1/CE2便于存储扩展
  • 高阻输出便于总线共享
  • TTL电平便于直连MCU
  • 阈值明确降低误判风险
  • 低电容改善时序裕量
  • OE读出22 ns响应更快
  • 低待机降低系统发热

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }