CY621472G30-45ZSXA
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY621472G30-45ZSXA

数据手册
封装

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CY621472G30-45ZSXA
CY621472G30-45ZSXA
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Ni/Pd/Au
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256Kb x 16
  • 质量等级
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY621472G30-45ZSXA
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-44
封装名 TSOP-II-44 (51-85087)
封装尺寸 1350
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
PH
晶圆产地
TW
CY621472G30-45ZSXA is a 4-Mbit (256K × 16) CMOS asynchronous SRAM with embedded ECC for single-bit error correction. This dual chip-enable device operates from 2.2 V to 3.6 V with 45 ns access time, and supports -40°C to +85°C Automotive-A range. It features typical 3.5 µA standby current, 1.0-V data retention, and byte write/read via BLE and BHE. Housed in a Pb-free 44-pin TSOP II package.

特性

  • 4-Mbit SRAM (256K x 16-bit)
  • Embedded ECC single-bit correction
  • 45 ns read cycle time
  • 16-bit I/O with byte enables
  • BHE/BLE byte power-down mode
  • VCC range 2.2 V to 3.6 V
  • Standby current typ 3.5 µA
  • Data retention down to 1.0 V
  • ICCDR max 13 µA at VCC = 1.2 V
  • OE to data valid 22 ns
  • Output drive 20 mA (LOW)
  • ESD >2001 V (MIL-STD-883)

产品优势

  • 16-bit bus boosts throughput
  • ECC corrects soft errors in RAM
  • 45 ns access cuts wait states
  • Byte enables simplify 8-bit use
  • Byte power-down saves standby
  • 2.2–3.6 V fits 3.3 V rails
  • 3.5 µA standby extends battery
  • 1.0 V retention keeps data alive
  • Low ICCDR reduces backup power
  • 22 ns OE timing speeds reads
  • 20 mA drive eases bus interfacing
  • ESD robustness improves reliability
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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