CY62147G30-45B2XI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62147G30-45B2XI

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62147G30-45B2XI
CY62147G30-45B2XI
数据手册


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY62147G30-45B2XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 4800
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 4800
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62147G30-45B2XI是一款4-Mbit（256K×16）异步CMOS SRAM，内置ECC。它在2.2 V至3.6 V供电下支持45 ns访问时间，工业级温度范围为-40°C至85°C。B2版本为双片选使能，支持BHE/BLE按字节访问，并具备字节掉电待机模式。f = 22.22 MHz时ICC最大20 mA，ISB2典型3.5 µA。采用无铅48球VFBGA封装。

特性

  • 4 Mbit SRAM，256K×16
  • 内置ECC单比特纠错
  • tRC读周期45/55 ns
  • 16位I/O，BLE/BHE字节使能
  • 未选通时I/O为高阻
  • 待机电流最大8.7 µA
  • 数据保持VDR=1.0 V
  • VCC=1.2 V时ICCDR最大13 µA
  • 工作温度–40°C至+85°C
  • ESD >2001 V（883法）
  • 锁存电流>140 mA

产品优势

  • ECC纠正单比特故障
  • 45/55 ns实现快速访问
  • 字节使能减少写入活动
  • 高阻输出便于总线共享
  • 待机最大8.7 µA省电
  • 1.0 V保持模式保存数据
  • 保持电流13 µA减轻备份负载
  • –40°C至+85°C更可靠
  • ESD>2001 V提升抗静电能力
  • 锁存>140 mA更稳健
  • 异步SRAM无需DRAM刷新

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区