CY62147G30-45B2XI
现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62147G30-45B2XI

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CY62147G30-45B2XI
CY62147G30-45B2XI


商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    256K x 16
  • 质量等级
    Industrial

OPN
CY62147G30-45B2XI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 4800
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 4800
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
TW
CY62147G30-45B2XI is a 4-Mbit (256K × 16) asynchronous CMOS SRAM with embedded ECC. It supports 45 ns access at 2.2 V to 3.6 V over the industrial -40°C to 85°C range. The B2 option uses dual chip enables and provides byte-wide accesses via BHE/BLE plus a byte power-down standby mode. ICC is 20 mA max at f = 22.22 MHz, and standby is 3.5 µA typ (ISB2). It is offered in a Pb-free 48-ball VFBGA.

特性

  • 4-Mbit SRAM, 256K × 16
  • Embedded ECC 1-bit correction
  • 45 ns/55 ns read cycle time tRC
  • 16-bit I/O with BLE/BHE byte en
  • HI-Z outputs when deselected
  • Standby current max 8.7 µA
  • Data retention VDR = 1.0 V
  • ICCDR max 13 µA at VCC = 1.2 V
  • Operating temp –40°C to +85°C
  • ESD >2001 V (MIL-STD-883)
  • Latch-up current >140 mA

产品优势

  • ECC corrects single-bit faults
  • 45/55 ns enables fast access
  • Byte enables cut write activity
  • HI-Z outputs ease bus sharing
  • 8.7 µA max standby saves power
  • 1.0 V retention preserves data
  • 13 µA retention cuts backup load
  • –40°C to +85°C boosts reliability
  • >2001 V ESD improves handling
  • >140 mA latch-up adds robustness
  • Async SRAM avoids DRAM refresh

应用

文档

设计资源

开发者社区