CY62148EV30LL-45BVXI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY62148EV30LL-45BVXI

数据手册
封装

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CY62148EV30LL-45BVXI
CY62148EV30LL-45BVXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    4 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    See roadmap
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512K x 8
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62148EV30LL-45BVXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-36
封装名 VFBGA-36 (51-85149)
封装尺寸 2400
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-36
封装名 VFBGA-36 (51-85149)
封装尺寸 2400
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62148EV30LL-45BVXI是一款4-Mbit（512K×8）CMOS静态RAM（SRAM），采用无铅36球VFBGA封装。工作电压2.20 V至3.60 V，温度范围–40°C至+85°C，支持45 ns访问。CE为高时自动掉电，VCC=3.60 V下待机电流典型2.5 µA、最大7 µA。1 MHz下典型工作电流3.5 mA，fmax下典型15 mA、最大20 mA，适合高速随机读写。

特性

  • 4 Mbit SRAM（512K×8）
  • 2.2 V至3.6 V供电
  • 读周期时间tRC为45 ns
  • OE拉低至数据有效22 ns
  • CE为高时自动掉电
  • 待机电流典型2.5 µA
  • 待机电流最大7 µA
  • 1 MHz时典型3.5 mA
  • VCC=1.5 V数据保持
  • 保持电流最大8.8 µA
  • CE/OE高时I/O高阻
  • 输入/输出电容最大10 pF

产品优势

  • 高速读出减少CPU等待
  • 宽VCC适配3.3 V系统
  • 自动掉电降低空闲功耗
  • µA级待机延长电池续航
  • 低工作电流节省能耗
  • 1.5 V保持防止数据丢失
  • 高阻输出便于总线共享
  • 低电容利于高速信号边沿
  • 快速OE访问提升吞吐率
  • CE/OE控制简化扩展
  • 低供电电流减少发热
  • 时序明确简化设计验证
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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