CY62157G30-45BVXA
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62157G30-45BVXA

数据手册
封装

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CY62157G30-45BVXA
CY62157G30-45BVXA
数据手册


商品详情

  • 实时时钟
    N
  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 看门狗定时器
    N
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 16
  • 警报
    N
  • 质量等级
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns

推荐的
OPN
CY62157G30-45BVXA
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 4800
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
封装产地
TW
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 4800
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
封装产地
TW
晶圆产地
TW
CY62157G30-45BVXA是一款通过AEC-Q100认证的8-Mbit（512K×16）CMOS SRAM，集成ECC用于单比特纠错。器件在-40°C至+85°C范围内工作，电压2.2 V至3.6 V（3 V典型），访问时间45 ns。典型待机电流5 µA（最大35 µA），自动掉电电流典型1.4 µA，并支持1.5 V数据保持。采用无铅48球VFBGA（6×8×1.0 mm）封装。

特性

  • 8-Mbit SRAM（512K×16）
  • ECC纠正单比特错误
  • 45 ns/55 ns读写周期
  • VCC 1.65-2.2或2.2-3.6 V
  • 待机典型电流5 µA
  • 待机最大电流35 µA
  • 16位I/O总线（I/O0-15）
  • BHE/BLE实现字节写
  • 双片选CE1/CE2
  • 未选或OE高时I/O高阻
  • 输入/输出漏电±1 µA
  • 支持1.5 V数据保持

产品优势

  • ECC降低数据损坏风险
  • 45 ns实现快速CPU读取
  • 双VCC范围便于复用电源
  • 5 µA待机延长电池寿命
  • 35 µA最大值便于算功耗
  • 16位总线提升带宽
  • 字节写减少总线事务
  • 双片选便于总线共享
  • 高阻输出避免总线冲突
  • ±1 µA漏电降低静态损耗
  • 1.5 V保持数据不丢失
  • OE/WE控制简化硬件设计
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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