CY62157G30-45BVXAT
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62157G30-45BVXAT

数据手册
封装

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62157G30-45BVXAT
CY62157G30-45BVXAT
数据手册
  • 实时时钟
    N
  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 看门狗定时器
    N
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    512Kb x 16
  • 警报
    N
  • 认证标准
    Automotive(A)
  • 速度
    45 ns
推荐的
OPN
CY62157G30-45BVXAT
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 2000
封装类型 TAPE & REEL
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62157G30-45BVXAT是一款通过AEC-Q100认证的8 Mbit（512K×16）异步SRAM，集成ECC，可进行单比特纠错。工作电压2.2 V至3.6 V，温度–40°C至+85°C，访问时间45 ns。典型待机电流5 µA（最大35 µA），自动掉电电流典型1.4 µA（最大6.5 µA）。双片选与BHE/BLE字节使能支持8/16位访问，适用于汽车ECU。

特性

  • 8-Mbit SRAM（512K×16）
  • ECC纠正单比特错误
  • 45 ns/55 ns读写周期
  • VCC 1.65-2.2或2.2-3.6 V
  • 待机典型电流5 µA
  • 待机最大电流35 µA
  • 16位I/O总线（I/O0-15）
  • BHE/BLE实现字节写
  • 双片选CE1/CE2
  • 未选或OE高时I/O高阻
  • 输入/输出漏电±1 µA
  • 支持1.5 V数据保持

产品优势

  • ECC降低数据损坏风险
  • 45 ns实现快速CPU读取
  • 双VCC范围便于复用电源
  • 5 µA待机延长电池寿命
  • 35 µA最大值便于算功耗
  • 16位总线提升带宽
  • 字节写减少总线事务
  • 双片选便于总线共享
  • 高阻输出避免总线冲突
  • ±1 µA漏电降低静态损耗
  • 1.5 V保持数据不丢失
  • OE/WE控制简化硬件设计
文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }