CY62158GE30-45BVXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62158GE30-45BVXI

数据手册
封装

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CY62158GE30-45BVXI
CY62158GE30-45BVXI
数据手册


商品详情

  • 密度
    8 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 8
  • 质量等级
    Industrial

推荐的
OPN
CY62158GE30-45BVXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 480
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
TW

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 480
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
预估长期供货截止日期 2033
产品发布日期 03/2022
封装产地
TH
晶圆产地
TW
CY62158GE30-45BVXI is a MoBL 8-Mbit (1M × 8) CMOS SRAM with embedded ECC and an ERR output for error reporting. It operates from 2.2 V to 3.6 V over -40°C to 85°C with 45 ns access. Dual chip enables (CE1/CE2) support automatic power-down; standby current is 1.4 µA typical and 6.5 µA max. Data retention is supported down to 1.0 V. TTL-compatible I/O in a Pb-free 48-ball VFBGA package.

特性

  • 8-Mbit SRAM (1M × 8)
  • Embedded ECC single-bit correction
  • 45 ns read/write cycle time
  • VCC operating 2.2 V to 3.6 V
  • Data retention down to 1.0 V
  • Standby current 1.4 µA typ
  • Standby current 6.5 µA max
  • Operating ICC 25 mA max at 22 MHz
  • Dual chip enable inputs (CE1, CE2)
  • OE/WE controls; High-Z outputs
  • CMOS TTL-compatible I/O levels
  • -40°C to +85°C operating temp

产品优势

  • ECC improves data integrity
  • 45 ns supports fast SRAM access
  • 2.2–3.6 V fits 3 V rails
  • 1.0 V retention preserves data
  • µA standby extends battery life
  • Low ICC reduces system power
  • Dual CE simplifies power gating
  • High-Z outputs ease bus sharing
  • TTL I/O eases MCU interfacing
  • -40°C to +85°C boosts reliability
  • Low SER FIT aids robustness
  • No write-back avoids side effects

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区