CY62167DV30LL-55ZXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62167DV30LL-55ZXI

适用于工业应用的高密度 16 MBit MoBL ™并行 SRAM
数据手册
封装

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CY62167DV30LL-55ZXI
CY62167DV30LL-55ZXI
数据手册

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62167DV30LL-55ZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62167DV30LL-55ZXI是一款16-Mbit（1 M × 16）CMOS静态RAM，适用于便携式设备的低功耗设计。工作电压2.20 V至3.60 V，温度范围-40°C至+85°C，速度等级55 ns。典型有源电流为1 MHz时2 mA，器件在3.60 V下失选时自动掉电，待机电流2.5 µA典型（最大22 µA）。支持CE1/CE2、OE、WE及BHE/BLE字节使能，提供无铅48引脚TSOP I封装。

特性

  • 16 Mbit SRAM（1 M×16）
  • VCC工作2.2 V至3.6 V
  • 取消选通自动掉电
  • CE1/CE2支持待机模式
  • 待机电流ISB1/2典型2.5 µA
  • 1 MHz时ICC典型2 mA
  • VDR=1.5 V数据保持
  • 数据保持电流最大10 µA
  • BHE/BLE支持字节写入
  • CE/OE等控制I/O高阻
  • ESD>2001 V（883标准）
  • 抗闩锁电流>200 mA

产品优势

  • 便于连接16位存储总线
  • 兼容常见3.3 V电源轨
  • 未选通时降低空闲功耗
  • 待机控制更灵活
  • µA级待机降低休眠耗电
  • 低工作电流延长电池续航
  • 1.5 V备份仍可保数据
  • 保持电流低更省电
  • 字节写减少写入流量
  • 高阻输出便于总线共享
  • 提升抗静电冲击可靠性
  • 故障时降低闩锁风险

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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