CY62167DV30LL-55ZXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62167DV30LL-55ZXI

适用于工业应用的高密度 16 MBit MoBL ™并行 SRAM
数据手册
封装

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CY62167DV30LL-55ZXI
CY62167DV30LL-55ZXI
数据手册
  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
推荐的
OPN
CY62167DV30LL-55ZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62167DV30LL-55ZXI 是一款高性能 CMOS 静态 RAM，旨在提供超低工作电流，在便携式应用中提供更长的电池寿命™ (MoBL ® )。其自动断电功能可在地址未切换时显著降低功耗，确保高效的电源管理并延长电池寿命。

特性

  • 宽电压范围：2.2 V 至 3.6 V
  • 超低有功功率
  • 典型有效电流：f = 1 MHz 时 2 mA
  • 超低待机功耗
  • 利用 CE1、CE2 和 OE 功能轻松扩展内存
  • 取消选择时自动关机

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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