现货,推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62167DV30LL-55ZXI

适用于工业应用的高密度 16 MBit MoBL ™并行 SRAM
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62167DV30LL-55ZXI
CY62167DV30LL-55ZXI
每件.

商品详情

  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度
    -40 °C to 85 °C
  • 工作电压
    2.2 V to 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    1M x 16
  • 认证标准
    Industrial
OPN
CY62167DV30LL-55ZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
包装尺寸 960
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
包装尺寸 960
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY62167DV30LL-55ZXI 是一款高性能 CMOS 静态 RAM,旨在提供超低工作电流,在便携式应用中提供更长的电池寿命™ (MoBL ® )。其自动断电功能可在地址未切换时显著降低功耗,确保高效的电源管理并延长电池寿命。

特性

  • 宽电压范围:2.2 V 至 3.6 V
  • 超低有功功率
  • 典型有效电流:f = 1 MHz 时 2 mA
  • 超低待机功耗
  • 利用 CE1、CE2 和 OE 功能轻松扩展内存
  • 取消选择时自动关机

应用

文档

设计资源

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }