CY62177EV30LL-55BAXI
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62177EV30LL-55BAXI

适用于宽温度范围工业应用的高密度 32 Mbit MoBL ™并行 SRAM
数据手册
封装

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CY62177EV30LL-55BAXI
CY62177EV30LL-55BAXI
数据手册
  • 密度
    32 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 最高 工作电压 (VCCQ)
    3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    2M x 16
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推荐的
OPN
CY62177EV30LL-55BAXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85191)
封装尺寸 2100
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85191)
封装尺寸 2100
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62177EV30LL-55BAXI 是一款高性能 CMOS 静态 RAM，专为超低工作电流而设计，可确保高效的电源管理，并在蜂窝电话等便携式应用中提供更长的电池寿命™ (MoBL ® )。当地址未切换时，其自动断电功能可显著降低功耗，以最小的功耗提供可靠的性能。

特性

  • 非常高的速度：55 ns
  • 宽电压范围：2.2 V 至 3.6 V
  • 典型待机电流：3 µA
  • 最大待机电流：25 µA
  • 典型有效电流：f = 1 MHz 时 10 mA
  • 通过 CE1、CE2 和 OE 功能轻松扩展内存
  • 取消选择时自动关机

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

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{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }