现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY62177EV30LL-55BAXI

适用于宽温度范围工业应用的高密度 32 Mbit MoBL ™并行 SRAM
数据手册
封装
每件.
有存货

Content could not be loaded

Unfortunately, we were unable to load the content for this section. You may want to refresh the page or try again later.

CY62177EV30LL-55BAXI
CY62177EV30LL-55BAXI
每件.
数据手册

商品详情

  • Density
    32 MBit
  • Peak Reflow Temp
    260 °C
  • Operating Temperature
    -40 °C to 85 °C
  • Operating Voltage
    2.2 V to 3.6 V
  • Operating Voltage (VCCQ) max
    3.6 V
  • Lead Ball Finish
    Sn/Ag/Cu
  • Interfaces
    Parallel
  • Currently planned availability until at least
    2033
  • Family
    MoBL™ SRAM
  • Organization (X x Y)
    2M x 16
  • Qualification
    Industrial
  • Speed
    55 ns
受到推崇的
OPN
CY62177EV30LL-55BAXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85191)
包装尺寸 2100
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes
Infineon stock last updated:
 每件. 有存货

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TFBGA-48
封装名 FBGA-48 (51-85191)
包装尺寸 2100
包装类型 TRAY
湿度 3
防潮包装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
每件.
有存货
CY62177EV30LL-55BAXI 是一款高性能 CMOS 静态 RAM，专为超低工作电流而设计，可确保高效的电源管理，并在蜂窝电话等便携式应用中提供更长的电池寿命™ (MoBL ® )。当地址未切换时，其自动断电功能可显著降低功耗，以最小的功耗提供可靠的性能。

特性

  • 非常高的速度：55 ns
  • 宽电压范围：2.2 V 至 3.6 V
  • 典型待机电流：3 µA
  • 最大待机电流：25 µA
  • 典型有效电流：f = 1 MHz 时 10 mA
  • 通过 CE1、CE2 和 OE 功能轻松扩展内存
  • 取消选择时自动关机

应用

文档

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

{ "ctalist":[ { "link" : "https://community.infineon.com/t5/forums/postpage/choose-node/true", "label" : "向社区提问", "labelEn" : "Ask the community" }, { "link" : "https://community.infineon.com/t5/Forums/ct-p/products", "label" : "查看所有讨论", "labelEn" : "View all discussions" } ] }