CY62177EV30LL-55ZXI
现货，推荐
符合RoHS标准

CY62177EV30LL-55ZXI

数据手册
封装

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CY62177EV30LL-55ZXI
CY62177EV30LL-55ZXI
数据手册

商品详情

  • 实时时钟
    N
  • 密度
    32 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 85 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Pure Sn
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 看门狗定时器
    N
  • 系列
    MoBL™ SRAM
  • 组织(X x Y)
    2Mb x 16
  • 警报
    N
  • 认证标准
    Industrial
  • 速度
    55 ns
推荐的
OPN
CY62177EV30LL-55ZXI
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 480
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 No
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-TSOP-48
封装名 TSOP-I-48 (51-85183)
封装尺寸 480
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY62177EV30LL-55ZXI是一款32-Mbit（2M×16/4M×8）CMOS SRAM，采用无铅48引脚TSOP I封装，访问时间55 ns。工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围−40°C至+85°C。具备CE自动掉电，ISB2典型3 µA（最大25 µA）；ICC在1 MHz时典型10 mA（最大18 mA），在fMax时典型35 mA（最大45 mA）。支持字节使能BHE/BLE与CE1/CE2扩展。

特性

  • 32 Mbit SRAM，2M×16/4M×8
  • tRC读周期55 ns
  • OE到数据有效tDOE 25 ns
  • VCC工作2.2 V到3.6 V
  • 1 MHz典型有源电流10 mA
  • 待机典型3 µA，最大25 µA
  • 未选通自动掉电
  • 地址不翻转功耗降99%
  • 数据保持电压VDR 1.5 V
  • 保持电流最大20 µA
  • OE/CE/BHE/BLE三态I/O

产品优势

  • 适配8位或16位总线设计
  • 55 ns访问支持高速CPU
  • OE 25 ns加速读使能
  • 2.2–3.6 V适合电池供电
  • 典型10 mA降低有源功耗
  • µA级待机延长电池寿命
  • 自动掉电节省空闲功耗
  • 功耗降99%降低静态损耗
  • 1.5 V供电仍可保持数据
  • 低保持电流节省能量
  • 三态I/O便于存储扩展

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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