CY7C1061G30-10BV1XE
现货，推荐
符合RoHS标准
无铅

CY7C1061G30-10BV1XE

数据手册
封装

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CY7C1061G30-10BV1XE
CY7C1061G30-10BV1XE
数据手册
  • 密度
    16 MBit
  • 峰值回流温度
    260 °C
  • 工作温度 范围
    -40 °C 至 125 °C
  • 工作电压 (VCCQ) 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 工作电压 范围
    2.2 V 至 3.6 V
  • 引线球表面
    Sn/Ag/Cu
  • 接口
    Parallel
  • 目前计划的可用性至少到
    2033
  • 系列
    FAST SRAM
  • 组织(X x Y)
    1Mb x 16
  • 认证标准
    Automotive(E)
  • 速度
    10 ns
推荐的
OPN
CY7C1061G30-10BV1XE
产品状态 active and preferred
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅 Yes
无卤素 Yes
符合RoHS标准 Yes

产品状态
Active
英飞凌封装名称
PG-VFBGA-48
封装名 VFBGA-48 (51-85150)
封装尺寸 960
封装类型 TRAY
湿度 3
防潮封装 DRY
无铅
无卤素
符合 RoHS 标准
CY7C1061G30-10BV1XE是一款16 Mbit（1 M×16）异步CMOS SRAM，集成ECC，可在读周期检测并纠正单比特错误。访问时间10 ns，工作电压2.2 V至3.6 V，温度范围-40°C至125°C。采用单CE、OE/WE与BLE/BHE字节控制，并支持自动CE掉电待机（ISB2最大50 mA）。封装为48球VFBGA（BV）。

特性

  • 16 Mbit（1M×16）SRAM
  • ECC可纠正读取1位错误
  • 地址访问时间tAA=10 ns
  • 读周期时间tRC=10 ns
  • 写周期时间tWC=10 ns
  • BLE/BHE支持字节写
  • VCC工作范围2.2 V–3.6 V
  • VCC=1.0 V数据保持
  • fMAX时ICC典型90 mA
  • 待机ISB2典型20 mA
  • OE到数据tDOE=5 ns
  • 未选中时输出高阻

产品优势

  • 提升SRAM读取数据完整性
  • 减少现场软错误调试
  • 快速读取提高时序裕量
  • 读吞吐更可预测
  • 快速写入支持实时记录
  • 字节写减少总线传输
  • 兼容2.2 V–3.6 V电源
  • 低功耗睡眠仍可保数据
  • 高速运行时降低有源功耗
  • 空闲时降低待机功耗
  • 更快OE降低读取延迟
  • 高阻输出便于总线共享

应用

文档

设计资源

合作伙伴解决方案

开发者社区

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